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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 厂家INFINEON 
  • 封装TO-262 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装车规-元器件 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥6.9元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家Infineon(英飞凌) 
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  • IPI80N06S405AKSA2图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量3675 
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  • 封装SMD 
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IPI80N06S405AKSA2产品参数
型号:IPI80N06S405AKSA2
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:not_compliant
Factory Lead Time:1 week
风险等级:2.31
雪崩能效等级(Eas):152 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0057 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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