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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • IPT0050A33R
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  • 厂家HONEYWELL 
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IPT007N06N产品参数
型号:IPT007N06N
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.65
雪崩能效等级(Eas):1100 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):52 A
最大漏源导通电阻:0.00075 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):1200 A
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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