IR2112产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP

详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP

制造商：Infineon Technologies

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

驱动配置：半桥

通道类型：独立式

驱动器数：2

栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 电源：10 V ~ 20 V

逻辑电压 - VIL，VIH：6V，9.5V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：250mA，500mA

输入类型：非反相

高压侧电压 - 最大值（自举）：600V

上升/下降时间（典型值）：80ns，40ns

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：14-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装：14-DIP

基本零件编号：IR2112

标准包装：25

其它名称：*IR2112

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）