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IR2112产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP

详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP

制造商:Infineon Technologies

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

驱动配置:半桥

通道类型:独立式

驱动器数:2

栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET

电压 - 电源:10 V ~ 20 V

逻辑电压 - VIL,VIH:6V,9.5V

电流 - 峰值输出(灌入,拉出):250mA,500mA

输入类型:非反相

高压侧电压 - 最大值(自举):600V

上升/下降时间(典型值):80ns,40ns

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:14-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装:14-DIP

基本零件编号:IR2112

标准包装:25

其它名称:*IR2112

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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