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| 型号: | IR2113E6 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LCC-18 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.5 |
| 高边驱动器： | YES |
| 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N16 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8.955 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 标称输出峰值电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC18,.3X.35 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 15 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.22 mm |
| 子类别： | MOSFET Drivers |
| 最大供电电压： | 20 V |
| 最小供电电压： | 10 V |
| 标称供电电压： | 15 V |
| 电源电压1-最大： | 620 V |
| 电源电压1-分钟： | 6 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 0.22 µs |
| 接通时间： | 0.26 µs |
| 宽度： | 7.305 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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