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IR2113E6产品参数
型号:IR2113E6
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
包装说明:LCC-18
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.5
高边驱动器:YES
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-CQCC-N16
JESD-609代码:e0
长度:8.955 mm
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:16
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
标称输出峰值电流:2 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC18,.3X.35
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:15 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.22 mm
子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:20 V
最小供电电压:10 V
标称供电电压:15 V
电源电压1-最大:620 V
电源电压1-分钟:6 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.22 µs
接通时间:0.26 µs
宽度:7.305 mm
Base Number Matches:1
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