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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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IR2130JPBF产品参数
型号:IR2130JPBF
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:QCCJ, LDCC44,.7SQ
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:0.91
高边驱动器:YES
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:S-PQCC-J32
JESD-609代码:e3
长度:16.585 mm
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:32
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC44,.7SQ
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:15 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.57 mm
子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:20 V
最小供电电压:10 V
标称供电电压:15 V
电源电压1-最大:620 V
电源电压1-分钟:5 V
表面贴装:YES
技术:MOS
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.55 µs
接通时间:0.85 µs
宽度:16.585 mm
Base Number Matches:1
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