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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 专营全系列MOS管/可控硅质好价优
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  • ▲▲▲诚信经营,服务至上,十年专注▲▲▲
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 深圳市中利达电子科技有限公司

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  • 数量10000 
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  • 原装进口现货 假一罚十
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  • 深圳市南煜科技有限公司

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  • 厂家INFINEON 
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家Infineon(英飞凌) 
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  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家INFINEON/英飞凌 
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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • IRF1404PBF 其他被动元件图
  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • IRF1404PBF 其他被动元件
  • 数量12500 
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  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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  • IRF1404PBF
  • 数量68000 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量100000 
  • 厂家Internation.Rectifer 
  • 封装N/A 
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量60 
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 数量55000 
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产品型号IRF1404PBF的概述

芯片IRF1404PBF概述 IRF1404PBF是国际整流器公司(International Rectifier Corporation)推出的一款N沟道功率MOSFET。这款芯片被广泛应用于各种电子设备中,尤其是在开关电源、直流-直流转换器和马达驱动等领域。IRF1404PBF以其高效率、高开...
配单直通车
IRF1404PBF产品参数
型号:IRF1404PBF
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:2.93
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):620 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):202 A
最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.004 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):333 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):808 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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