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IRF2903ZS产品参数
型号:IRF2903ZS
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.12
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):820 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):260 A
最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.0024 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):290 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):1020 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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