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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装TO-263-3 
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  • 集好芯城

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装D2PAk 
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  • 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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  • 集好芯城

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  • 封装TO263 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 厂家Infineon(英飞凌) 
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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • IRF3205STRPBF
  • 数量12568 
  • 厂家IR 
  • 封装TO263DPAK 
  • 批号▊ NEW ▊ 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家VBsemi(台湾微碧) 
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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 厂家IR 
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  • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 厂家VBSEMI/台湾微碧 
  • 封装TO263 
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IRF3205STRR产品参数
型号:IRF3205STRR
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.06
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):264 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):110 A
最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.008 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):390 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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