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| 型号: | IRF360PBF |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.15 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 980 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 219 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 173 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
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