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IRF5210PBF产品参数和技术文档

IRF5210PBF产品图

IRF5210PBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.65000
$2.65
10
2.39100
$23.91
100
1.92120
$192.12
500
1.49428
$747.14
1,000
1.23812
$1,238.12

IRF5210PBF产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB

详细描述:通孔 P 沟道 100V 40A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB

制造商:Infineon Technologies

系列:HEXFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 24A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):180nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2700pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):200W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

其它名称:*IRF5210PBF SP001559642

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