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IRF5305PBF产品参数
型号:IRF5305PBF
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:LEAD FREE PACKAGE-3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:0.79
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/324370.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=324370
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=324370
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=324370
Samacsys PartID:324370
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/IRF5305PBF.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/IRF5305PBF.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO220AB_2
Samacsys Released Date:2017-07-07 12:08:28
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas):280 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):31 A
最大漏极电流 (ID):31 A
最大漏源导通电阻:0.06 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):110 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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