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IRF530NSTRLPBF产品参数
型号:IRF530NSTRLPBF
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:0.62
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas):93 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):17 A
最大漏源导通电阻:0.09 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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