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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 英拓尔(深圳)电子有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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IRF540NSPBF产品参数和技术文档

IRF540NSPBF产品图

IRF540NSPBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.66000
$1.66
10
1.47100
$14.71
100
1.16220
$116.22
500
0.90132
$450.66
1,000
0.71156
$711.56

IRF540NSPBF产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 33A(Tc) 130W(Tc) D2PAK

制造商:Infineon Technologies

系列:HEXFET®

包装:管件

零件状态:Digi-Key 停产

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):44 毫欧 @ 16A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):71nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1960pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):130W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:1,000

其它名称:*IRF540NSPBF 64-2158PBF 64-2158PBF-ND SP001564346

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