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IRF5M4905产品参数
型号:IRF5M4905
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.24
雪崩能效等级(Eas):490 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):35 A
最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.03 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:S-XSFM-P3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):225 ns
最大开启时间(吨):200 ns
Base Number Matches:1
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