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  • IRF610AZ-TSTU图
  • 北京首天国际有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • IRF610AZ-TSTU
  • 数量5077 
  • 厂家SMG 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
  • QQ:528164397QQ:1318502189
  • 010-62565447 QQ:528164397QQ:1318502189

    IRF610AZ-TSTU相关文章

配单直通车
IRF610B产品参数
型号:IRF610B
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
零件包装代码:SFM
包装说明:TO-220, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.22
雪崩能效等级(Eas):40 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):3.3 A
最大漏源导通电阻:1.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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