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irf630 的Datasheet文档资料查询

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KERSEMI IRF630
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Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
功率MOSFET动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩
COMSET IRF630
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
N沟道增强型功率MOS晶体管
晶体晶体管
ISC IRF630
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N-channel mosfet transistor
N沟道场效应晶体管的晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
ISC IRF630
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N-channel mosfet transistor
N沟道场效应晶体管的晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
VISHAY IRF630
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Power MOSFET
功率MOSFET
DCCOM IRF630
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
N沟道功率MOSFET技术规格
A-POWER IRF630
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
N沟道增强型功率MOSFET
SUNTAC IRF630
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POWER MOSFET
功率MOSFET
STMICROELECTRONICS IRF630
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N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay⑩ II Power MOSFET
N沟道200V - 0.35ヘ - 9A TO- 220 / TO- 220FP网overlay⑩ II功率MOSFET
TRSYS IRF630
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Power MOSFET
功率MOSFET
STMICROELECTRONICS IRF630
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
N沟道增强型功率MOS晶体管
晶体晶体管
IRF IRF630
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N-MOSFET
FAIRCHILD IRF630
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N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
N沟道功率MOSFET , 12A , 150至200 V
IRF IRF630
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 9.0A )
INTERSIL IRF630
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9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
9A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET
STMICROELECTRONICS IRF630
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N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET
N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO- 220 / FP MESH合成] MOSFET
PHILIPS IRF630
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N-channel TrenchMOS transistor
N沟道晶体管的TrenchMOS
晶体晶体管功率场效应晶体管
STMICROELECTRONICS IRF630_06
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N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay⑩ II Power MOSFET
N沟道200V - 0.35ヘ - 9A TO- 220 / TO- 220FP网overlay⑩ II功率MOSFET
IRF IRF630-001 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF IRF630-001PBF Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
局域网开关脉冲晶体管
VISHAY IRF630-010PBF Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
局域网开关脉冲晶体管
VISHAY IRF630-012PBF Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
局域网开关脉冲晶体管
MOTOROLA IRF630A Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网脉冲晶体管
ISC IRF630A
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isc N-Channel MOSFET Transistor
ISC N沟道MOSFET晶体管
晶体晶体管
FAIRCHILD IRF630A
中文翻译
Advanced Power MOSFET
先进的功率MOSFET
MOTOROLA IRF630A16A Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网晶体管
MOTOROLA IRF630AF 9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
局域网晶体管
MOTOROLA IRF630AJ 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
局域网晶体管
ISC IRF630B
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isc N-Channel MOSFET Transistor
ISC N沟道MOSFET晶体管
晶体晶体管
FAIRCHILD IRF630B
中文翻译
200V N-Channel MOSFET
200V N沟道MOSFET
更多IRF630资料...

IRF630详细参数

是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
ADVANCED MICROELECTRONIC PRODUCTS INC
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.67
Is Samacsys
N
配置
Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码
e0
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
75 W
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches
1
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