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IRF630NPBF产品参数和技术文档

IRF630NPBF产品图

IRF630NPBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.16000
$1.16
10
1.02500
$10.25
100
0.81000
$81.00
500
0.62818
$314.09
1,000
0.49594
$495.94

IRF630NPBF产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB

制造商:Infineon Technologies

系列:HEXFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):300 毫欧 @ 5.4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):35nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):575pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):82W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

其它名称:*IRF630NPBF SP001564792

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