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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 深圳市捷立辉科技有限公司

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  • 深圳市亿科泰电子有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市亿科泰电子有限公司

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  • 专营全系列MOS管/可控硅质好价优
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  • 深圳市拓森弘电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市龙腾新业科技有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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产品型号IRF640NPBF的概述

芯片IRF640NPBF的概述 IRF640NPBF 是一款高效的 N 沟道功率 MOSFET,设计用于各种开关和线性应用。MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)广泛应用于电子和电气设备中,因其优秀的开关性能及控制灵活性而受到青睐。IRF640NPBF 主要用于电源转换、马达驱动、大功率开关电路等场合,适用于DC-DC转换器、逆变器和其他电力驱动电路。 在特点方面,IRF640NPBF 显示出优越的导通电阻(R_DS(on))、高电流承载能力和可靠的热管理性能,使其在高功率应用中表现出色。该器件能够有效地转换电力,降低损耗,并增强能源效率,满足现代电子设备对高效能源管理的需求。 芯片IRF640NPBF的详细参数 IRF640NPBF 的主要电气和物理参数如下: - 最大漏极至源极电压 (V_DS): 200V - 最大连续漏极电流 (I_D): 9.2A(在25°C 条件下) ...
配单直通车
IRF640NS产品参数
型号:IRF640NS
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.29
雪崩能效等级(Eas):247 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A
最大漏极电流 (ID):18 A
最大漏源导通电阻:0.15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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