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irf640npbf 的Datasheet文档资料查询

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KERSEMI IRF640NPBF
中文翻译
Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
先进的工艺技术动态的dv / dt额定值175工作温度
IRF IRF640NPBF
中文翻译
HEXFET㈢ Power MOSFET
HEXFET㈢功率MOSFET

IRF640NPBF详细参数

是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Transferred
零件包装代码
D2PAK
包装说明
PLASTIC, D2PAK-2/3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
5.03
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)
247 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
18 A
最大漏极电流 (ID)
18 A
最大漏源导通电阻
0.15 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-263AB
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e0
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
225
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
72 A
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Powers
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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