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IRF6626产品参数
型号:IRF6626
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:ISOMETRIC-3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.34
雪崩能效等级(Eas):24 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):16 A
最大漏极电流 (ID):16 A
最大漏源导通电阻:0.0054 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XBCC-N3
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):130 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Silver/Nickel (Ag/Ni)
端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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