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IRF6727MTRPBF产品参数
型号:IRF6727MTRPBF
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.11
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):250 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):180 A
最大漏极电流 (ID):32 A
最大漏源导通电阻:0.0017 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XBCC-N3
JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):260 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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