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  • IRF6898MTR1PBF图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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IRF6898MTR1PBF产品参数
型号:IRF6898MTR1PBF
生命周期:Obsolete
包装说明:CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.2
雪崩能效等级(Eas):473 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.0011 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XBCC-N3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):280 A
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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