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IRF7204产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO

制造商:Infineon Technologies

系列:HEXFET®

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 5.3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 10V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):860pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:95

其它名称:*IRF7204

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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