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irf730 的Datasheet文档资料查询

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ISC IRF730
中文翻译
N-channel mosfet transistor
N沟道场效应晶体管的晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
A-POWER IRF730
中文翻译
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
N沟道增强型功率MOSFET
DCCOM IRF730
中文翻译
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
N沟道功率MOSFET技术规格
VISHAY IRF730
中文翻译
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管
SUNTAC IRF730
中文翻译
POWER MOSFET
功率MOSFET
ISC IRF730
中文翻译
N-channel mosfet transistor
N沟道场效应晶体管的晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
IRF IRF730
中文翻译
SMPS MOSFET
开关电源MOSFET
开关
FAIRCHILD IRF730
中文翻译
400V N-Channel MOSFET
400V N沟道MOSFET
FAIRCHILD IRF730
中文翻译
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
N沟道功率MOSFET , 5.5A , 350 V / 400V
INTERSIL IRF730
中文翻译
5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
5.5A , 400V , 1.000 Ohm的N通道功率MOSFET
STMICROELECTRONICS IRF730
中文翻译
N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管
PHILIPS IRF730
中文翻译
PowerMOS transistor Avalanche energy rated
功率MOS晶体管额定雪崩能量
晶体晶体管
FAIRCHILD IRF730
中文翻译
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
N沟道功率MOSFET , 5.5A , 350 V / 400V
IRF IRF730
中文翻译
SMPS MOSFET
开关电源MOSFET
开关
FAIRCHILD IRF730_R4943 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VISHAY IRF730-007 Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网晶体管
VISHAY IRF730-007PBF Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
局域网晶体管
IRF IRF7301
中文翻译
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON) = 0.050ohm )
MOTOROLA IRF73016 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网晶体管
IRF IRF7301PBF
中文翻译
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
IRF IRF7303
中文翻译
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm)
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.050ohm )
IRF IRF7303PBF
中文翻译
HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ヘ )
HEXFET功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS ( ON) = 0.050ヘ)
IRF IRF7303Q
中文翻译
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8
IRF IRF7303QPBF
中文翻译
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
IRF IRF7303QPBF_10
中文翻译
HEXFETPOWERMOSET
IRF IRF7303TR
中文翻译
Generation V Technology
第五代技术
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
IRF IRF7303TRPBF
中文翻译
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
IRF IRF7304
中文翻译
Generation V Technology
第五代技术
晶体晶体管光电二极管
IRF IRF7304
中文翻译
Generation V Technology
第五代技术
晶体晶体管光电二极管
IRF IRF7304PBF
中文翻译
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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IRF730详细参数

是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
ADVANCED MICROELECTRONIC PRODUCTS INC
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.66
Is Samacsys
N
配置
Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.5 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码
e0
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
75 W
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches
1
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