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    • IRF7342QTRPBF图

    • 深圳市和诚半导体有限公司

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    • IRF7342TRPBF图

    • 集好芯城

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    • IRF7342TRPBF 现货库存
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    • 厂家IR(国际整流器) 
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    • IRF7342TRPBF图

    • 深圳市恒达亿科技有限公司

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    • 只做原装正品现货销售
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • IRF7342TRPBF图

    • 深圳市一呈科技有限公司

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    • ▉只做原装▉低价力挺实单
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    • IRF7342QPBF图

    • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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    • IRF7342QPBF 现货库存
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    • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票，支持样品，欢迎来电咨询！
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    • IRF7342图

    • 深圳市宗天技术开发有限公司

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    • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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    • 0755-88601327 QQ:444961496QQ:2824256784
    • IRF7342TRPBF图

    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • 厂家IR(国际整流器) 
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    • 原装特价可提供13点
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    • 0755-82570600 QQ:2880123150
    • IRF7342TRPB图

    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • IRF7342TRPB 现货库存
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    • 厂家INFINEON 
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    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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    • 0755-84507451 QQ:1435424310
    • IRF7342TRPBF图

    • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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    • 厂家INFINEON/原装正品 
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    • 批号▊ NEW ▊ 
    • ▊▊★代理INFINEON 全系列销售【100%全新原装正品】★长期供应，量大可订，价格优惠！
    • QQ:1551106297QQ：1551106297 复制
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    • 0755-23125986 QQ:1551106297QQ:3059638860
    • IRF7342TR图

    • 深圳市友进科技有限公司

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    • IRF7342TR 现货库存
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    • 厂家umw（友台半导体） 
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    • 原装现货，原厂授权
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    • 0755-83041577 QQ:3007783533QQ:3007783530
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    • 深圳市科庆电子有限公司

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    • IRF7342TRPBF 现货库存
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    • 厂家IR 
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    • 批号23+ 
    • 现货只售原厂原装可含13%税
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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    • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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    • 原装正品现货，可开专票，欢迎采购！！！
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    • 18565729389 QQ:3354557638QQ:3354557638
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    • 深圳市广百利电子有限公司

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    • 厂家Infineon(英飞凌) 
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    • ★★全网低价，原装原包★★
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    • IRF7342QTRPBF图

    • 深圳市和诚半导体有限公司

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    • IRF7342QTRPBF 现货热卖
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    • 厂家IR 
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    • ?100%深圳原装现货库存
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    • 深圳市拓森弘电子有限公司

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    • IRF7342PBF
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    • 厂家IR(国际整流器) 
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    • 全新原装正品，库存现货实报
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    • 13714410484 QQ:1300774727
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • IRF7342
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    • 厂家IR 
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    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-23605827 QQ:2881495753
    • IRF7342D2PBF图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • IRF7342D2PBF
    • 数量13880 
    • 厂家Infineon Technologies 
    • 封装8SOIC 
    • 批号21+ 
    • 公司只售原装 支持实单
    • QQ:2881495751QQ：2881495751 复制
    • 0755-88917743 QQ:2881495751
    • IRF7342TRPBF图

    • 深圳市隆亿诚科技有限公司

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    • IRF7342TRPBF
    • 数量2563 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装SOP-8 
    • 批号22+ 
    • 原标现货低价处理
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    • IRF7342PBF图

    • 千层芯半导体（深圳）有限公司

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    • IRF7342PBF
    • 数量2180 
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    • 批号2018+ 
    • “芯达集团”专营军工百分之百原装进口
    • QQ:2685694974QQ：2685694974 复制
      QQ:2593109009QQ：2593109009 复制
    • 0755-83978748,0755-23611964,13760152475 QQ:2685694974QQ:2593109009
    • IRF7342图

    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • IRF7342
    • 数量64 
    • 厂家IR 
    • 封装NA/ 
    • 批号23+ 
    • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
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    • IRF7342图

    • 深圳市晶美隆科技有限公司

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    • IRF7342
    • 数量60000 
    • 厂家IR 
    • 封装SOP-8 
    • 批号24+ 
    • 假一罚十，原装进口正品现货供应，价格优势。
    • QQ:198857245QQ：198857245 复制
    • 0755-82865294 QQ:198857245
    • IRF7342PBF图

    • 集好芯城

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    • IRF7342PBF
    • 数量13092 
    • 厂家IRPB-FREE 
    • 封装SOP-8 
    • 批号最新批次 
    • 原装原厂 现货现卖
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    • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
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    • 首天国际（深圳）科技有限公司

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    • IRF7342
    • 数量10000 
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    • 封装原厂封装 
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    • 百分百原装正品，现货库存
    • QQ:528164397QQ：528164397 复制
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    • 0755-82807802 QQ:528164397QQ:1318502189
    • IRF7342TRPBF图

    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

       该会员已使用本站12年以上
    • IRF7342TRPBF
    • 数量55000 
    • 厂家IR 
    • 封装SO-8 
    • 批号23+ 
    • 只做原装正品假一罚十
    • QQ:2103443489QQ：2103443489 复制
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    • 0755-82702619 QQ:2103443489QQ:2924695115
    • IRF7342TRPBF图

    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • IRF7342TRPBF
    • 数量10636 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装SOP 
    • 批号23+ 
    • 原厂可订货，技术支持，直接渠道。可签保供合同
    • QQ:3007947087QQ：3007947087 复制
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    • 0755-83061789 QQ:3007947087QQ:3007947087
    • IRF7342图

    • 深圳市雅维特电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • IRF7342
    • 数量5000 
    • 厂家IR 
    • 封装深圳原装现货0755-83975781 
    • 批号原厂原装 
    • QQ:767621813QQ：767621813 复制
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    • 0755-83975781 QQ:767621813QQ:541766577
    • IRF7342TRPBF图

    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • IRF7342TRPBF
    • 数量25264 
    • 厂家IR 
    • 封装SOP-8 
    • 批号2023+ 
    • 绝对原装正品全新深圳进口现货，优质渠道供应商！
    • QQ:1002316308QQ：1002316308 复制
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    • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
    • IRF7342图

    • 深圳市恒达亿科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • IRF7342
    • 数量4500 
    • 厂家IR 
    • 封装SOP 
    • 批号23+ 
    • 全新原装现货特价销售！
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    • IRF7342D2TRPBF图

    • 深圳市赛尔通科技有限公司

       该会员已使用本站12年以上
    • IRF7342D2TRPBF
    • 数量12850 
    • 厂家IOR 
    • 封装SOP 
    • 批号NEW 
    • 绝对进口原装现货，市场价格最低！！
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    产品型号IRF7342的概述

    芯片IRF7342概述 IRF7342是一款具有高性能的N沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动以及其他电力电子应用中。该芯片以其优秀的电气性能和可靠性受到工业界的青睐。IRF7342的设计目的在于提供高效的电源转换和开关性能，从而降低能量损耗，提升系统的整体效率。 详细参数 IRF7342的关键参数包括： 1. 最大漏极电压（Vds）: 55V 2. 最大漏极电流（Id）: 60A 3. 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 2V 到 4V 4. 栅极驱动电压（Vgs）: ±20V 5. Rds(on) （在10V驱动下）: 0.018Ω 6. 开关时间: 开关时间和关断时间都在纳秒级别。 7. 存储温度: -55℃ 到 +170℃ 8. 最大功耗: 94.7W (根据工作温度而异) 以上参数使得IRF7342在面对高电压和高电流应用时非常有效。 厂家、包装与封装 I...

    产品型号IRF7342的Datasheet PDF文件预览

    PD -91859  
    IRF7342  
    HEXFET® Power MOSFET  
    l Generation V Technology  
    l Ultra Low On-Resistance  
    l Dual P-Channel Mosfet  
    l Surface Mount  
    l Available in Tape & Reel  
    l Dynamic dv/dt Rating  
    l Fast Switching  
    1
    2
    3
    4
    8
    S1  
    G 1  
    D 1  
    VDSS = -55V  
    7
    D 1  
    6
    S2  
    D2  
    5
    D 2  
    G 2  
    RDS(on) = 0.105Ω  
    Top View  
    Description  
    Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
    utilize advanced processing techniques to achieve  
    extremely low on-resistance per silicon area. This  
    benefit, combined with the fast switching speed and  
    ruggedized device design that HEXFET Power  
    MOSFETs are well known for, provides the designer  
    with an extremely efficient and reliable device for use  
    in a wide variety of applications.  
    The SO-8 has been modified through a customized  
    leadframe for enhanced thermal characteristics and  
    multiple-die capability making it ideal in a variety of  
    powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
    devices can be used in an application with dramatically  
    reduced board space. The package is designed for  
    vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
    Power dissipation of greater than 0.8W is possible in  
    a typical PCB mount application.  
    S O -8  
    Absolute Maximum Ratings  
    Parameter  
    Max.  
    Units  
    VDS  
    Drain- Source Voltage  
    -55  
    V
    ID @ TC = 25°C  
    ID @ TC = 70°C  
    IDM  
    Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
    Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
    Pulsed Drain Current   
    Power Dissipation  
    -3.4  
    -2.7  
    A
    -27  
    PD @TC = 25°C  
    PD @TC = 70°C  
    2.0  
    W
    Power Dissipation  
    1.3  
    Linear Derating Factor  
    0.016  
    ± 20  
    30  
    W/°C  
    VGS  
    Gate-to-Source Voltage  
    V
    V
    VGSM  
    EAS  
    Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10µs  
    Single Pulse Avalanche Energy‚  
    114  
    dv/dt  
    TJ, TSTG  
    Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
    5.0  
    V/ns  
    °C  
    Junction and Storage Temperature Range  
    -55 to + 150  
    Thermal Resistance  
    Parameter  
    Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
    Typ.  
    –––  
    Max.  
    62.5  
    Units  
    °C/W  
    RθJA  
    www.irf.com  
    1
    2/24/99  
    IRF7342  
    Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)  
    Parameter  
    Min. Typ. Max. Units  
    Conditions  
    V(BR)DSS  
    Drain-to-Source Breakdown Voltage  
    -55 ––– –––  
    V
    VGS = 0V, ID = -250µA  
    ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient  
    ––– -0.054 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA  
    ––– 0.095 0.105  
    ––– 0.150 0.170  
    -1.0 ––– –––  
    3.3 ––– –––  
    ––– ––– -2.0  
    ––– ––– -25  
    ––– ––– -100  
    ––– ––– 100  
    VGS = -10V, ID = -3.4A „  
    VGS = -4.5V, ID = -2.7A „  
    VDS = VGS, ID = -250µA  
    VDS = -10V, ID = -3.1A  
    VDS = -55V, VGS = 0V  
    VDS = -55V, VGS = 0V, TJ = 55°C  
    VGS = -20V  
    RDS(on)  
    StaticDrain-to-SourceOn-Resistance  
    Ω
    VGS(th)  
    gfs  
    GateThresholdVoltage  
    V
    S
    Forward Transconductance  
    IDSS  
    IGSS  
    Drain-to-SourceLeakageCurrent  
    µA  
    nA  
    Gate-to-SourceForwardLeakage  
    Gate-to-SourceReverseLeakage  
    Total Gate Charge  
    VGS = 20V  
    Qg  
    ––– 26  
    38  
    ID = -3.1A  
    Qgs  
    Qgd  
    td(on)  
    tr  
    Gate-to-Source Charge  
    Gate-to-Drain ("Miller") Charge  
    Turn-On Delay Time  
    Rise Time  
    ––– 3.0 4.5  
    nC VDS = -44V  
    VGS = -10V, See Fig. 10 „  
    ––– 8.4  
    ––– 14  
    ––– 10  
    ––– 43  
    ––– 22  
    13  
    22  
    15  
    64  
    32  
    VDD = -28V  
    ID = -1.0A  
    ns  
    td(off)  
    tf  
    Turn-Off Delay Time  
    Fall Time  
    RG = 6.0Ω  
    RD = 16Ω, „  
    VGS = 0V  
    Ciss  
    Coss  
    Crss  
    Input Capacitance  
    ––– 690 –––  
    ––– 210 –––  
    ––– 86 –––  
    Output Capacitance  
    pF  
    VDS = -25V  
    Reverse Transfer Capacitance  
    ƒ = 1.0MHz, See Fig. 9  
    Source-Drain Ratings and Characteristics  
    Parameter  
    ContinuousSourceCurrent  
    (BodyDiode)  
    Min. Typ. Max. Units  
    Conditions  
    MOSFET symbol  
    showing the  
    D
    IS  
    ––– ––– -2.0  
    A
    G
    ISM  
    Pulsed Source Current  
    (Body Diode)   
    integralreverse  
    –––  
    ––– ––– -1.2  
    ––– 54 80  
    ––– 85 130  
    -27  
    –––  
    p-njunctiondiode.  
    S
    VSD  
    trr  
    Diode Forward Voltage  
    Reverse Recovery Time  
    Reverse RecoveryCharge  
    V
    TJ = 25°C, IS = -2.0A, VGS = 0V ƒ  
    ns  
    TJ = 25°C, IF = -2.0A  
    Qrr  
    nC di/dt = -100A/µs ƒ  
    Notes:  
     Repetitive rating; pulse width limited by  
    max. junction temperature. ( See fig. 11 )  
    ƒ ISD ≤ -3.4A, di/dt ≤ -150A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS  
    TJ ≤ 150°C  
    ,
    ‚ Starting TJ = 25°C, L = 20mH  
    „ Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%.  
    RG = 25Ω, IAS = -3.4A. (See Figure 8)  
    ꢀ When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec  
    2
    www.irf.com  
    IRF7342  
    100  
    10  
    1
    100  
    10  
    1
    VGS  
    -15V  
    -12V  
    -10V  
    -8.0V  
    -45V
    -4.0V  
    -3.5V  
    VGS  
    -15V  
    -12V  
    -10V  
    -8.0V  
    -4.5V
    -4.0V  
    -3.5V  
    TOP  
    TOP  
    BOTTOM -3.0V  
    BOTTOM -3.0V  
    -3.0V  
    -3.0V  
    20µs PULSE WIDTH  
    20µs PULSE WIDTH  
    T = 25 C  
    J
    °
    T = 150 C  
    J
    °
    0.1  
    0.1  
    0.1  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1
    10  
    100  
    -V , Drain-to-Source Voltage (V)  
    DS  
    -V , Drain-to-Source Voltage (V)  
    DS  
    Fig 1. Typical Output Characteristics  
    Fig 2. Typical Output Characteristics  
    100  
    10  
    100  
    °
    T = 25 C  
    J
    °
    T = 150 C  
    J
    °
    T = 150 C  
    J
    10  
    °
    T = 25 C  
    J
    1
    V
    = -25V  
    DS  
    V
    = 0 V  
    GS  
    1.2  
    20µs PULSE WIDTH  
    0.1  
    0.2  
    1
    0.4  
    0.6  
    0.8  
    1.0  
    1.4  
    3
    4
    5
    6 7  
    -V ,Source-to-Drain Voltage (V)  
    SD  
    -V , Gate-to-Source Voltage (V)  
    GS  
    Fig 3. Typical Transfer Characteristics  
    Fig 4. Typical Source-Drain Diode  
    Forward Voltage  
    www.irf.com  
    3
    IRF7342  
    2.0  
    0.240  
    0.200  
    0.160  
    0.120  
    0.080  
    -3.4 A  
    =
    I
    D
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    0.0  
    VGS = -4.5V  
    VGS = -10V  
    V
    = -10V  
    GS  
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    12  
    -60 -40 -20  
    0
    20 40 60 80 100 120 140 160  
    °
    -I , Drain Current (A)  
    T , Junction Temperature ( C)  
    J
    D
    Fig 6. Typical On-Resistance Vs. Drain  
    Fig 5. Normalized On-Resistance  
    Current  
    Vs. Temperature  
    0.45  
    300  
    I
    D
    TOP  
    -1.5A  
    -2.7A  
    BOTTOM -3.4A  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    0.35  
    0.25  
    0.15  
    0.05  
    I
    = -3.4 A  
    D
    0
    A
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    2
    5
    8
    11  
    14  
    °
    Starting T , Junction Temperature ( C)  
    J
    -V G S , Gate-to-Source Voltage (V)  
    Fig 7. Typical On-Resistance Vs. Gate  
    Fig 8. Maximum Avalanche Energy  
    Voltage  
    Vs. Drain Current  
    4
    www.irf.com  
    IRF7342  
    1200  
    960  
    720  
    480  
    240  
    0
    20  
    16  
    12  
    8
    V
    = 0V,  
    f = 1MHz  
    C SHORTED  
    ds  
    I
    D
    = -3.1A  
    GS  
    V
    V
    V
    =-48V  
    =-30V  
    =-12V  
    C
    = C + C  
    DS  
    DS  
    DS  
    iss  
    gs  
    gd ,  
    C
    = C  
    rss  
    gd  
    C
    = C + C  
    gd  
    oss  
    ds  
    C
    iss  
    C
    C
    oss  
    4
    rss  
    0
    1
    10  
    100  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    -V , Drain-to-Source Voltage (V)  
    DS  
    Q
    , Total Gate Charge (nC)  
    G
    Fig 10. Typical Gate Charge Vs.  
    Fig 9. Typical Capacitance Vs.  
    Gate-to-Source Voltage  
    Drain-to-Source Voltage  
    100  
    10  
    1
    D = 0.50  
    0.20  
    0.10  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    P
    DM  
    t
    1
    SINGLE PULSE  
    (THERMAL RESPONSE)  
    t
    2
    Notes:  
    1. Duty factor D =  
    t / t  
    1 2  
    2. Peak T = P  
    J
    x Z  
    + T  
    A
    DM  
    thJA  
    0.1  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    t , Rectangular Pulse Duration (sec)  
    1
    Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient  
    www.irf.com  
    5
    IRF7342  
    SO-8 Package Details  
    INCH ES  
    M ILLIM ET ERS  
    D IM  
    D
    M IN  
    M AX  
    .0688  
    .0098  
    .018  
    M IN  
    1.35  
    0.10  
    0.36  
    0.19  
    4.80  
    3.81  
    M AX  
    1.75  
    0.25  
    0.46  
    0.25  
    4.98  
    3.99  
    5
    - B -  
    A
    .0532  
    .0040  
    .014  
    A1  
    B
    θ
    8
    1
    7
    2
    6
    3
    5
    4
    5
    H
    E
    C
    D
    E
    .0075  
    .189  
    .0098  
    .196  
    0.25 (.010)  
    M
    A M  
    - A -  
    .150  
    .157  
    e
    e
    .050 BASIC  
    .025 BASIC  
    1.27 BASIC  
    K x 45°  
    θ
    6X  
    e1  
    e1  
    H
    K
    0.635 BASIC  
    .2284  
    .011  
    0.16  
    0°  
    .2440  
    5.80  
    0.28  
    0.41  
    0°  
    6.20  
    0.48  
    1.27  
    8°  
    A
    .019  
    .050  
    8°  
    - C -  
    0.10 (.004)  
    6
    C
    8X  
    L
    8X  
    L
    A1  
    B
    8X  
    θ
    0.25 (.010)  
    M
    C A S B S  
    RECOM MENDED FOOTPRINT  
    NOTES:  
    0.72 (.028 )  
    8X  
    1. DIM ENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.  
    2. CONTROLLING DIM ENSION : INCH.  
    3. DIM ENSIONS ARE SHOW N IN MILLIMETERS (INCHES).  
    4. OUTLINE CONFORM S TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.  
    6.46 ( .255 )  
    1.78 (.070)  
    8X  
    5
    DIMENSION DOES NOT INCLUDE M OLD PROTRUSIONS  
    MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 (.006).  
    DIMENSIONS IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE..  
    6
    1.27 ( .050 )  
    3X  
    Part Marking  
    6
    www.irf.com  
    IRF7342  
    Tape and Reel  
    T E R M IN A L N U M B E R  
    1
    12.3 ( .48 4  
    11.7 ( .46 1  
    )
    )
    8.1 ( .31 8  
    7.9 ( .31 2  
    )
    )
    FE E D D IR E C TIO N  
    N O TE S :  
    1 . C O N TR O L L IN G D IM E N S IO N : M IL L IM E TE R .  
    2 . A L L D IM E N S IO N S A R E S H O W N IN M IL L IM E TE R S (IN C H E S ).  
    3 . O U TL IN E C O N FO R M S T O E IA -4 8 1 & E IA -5 4 1.  
    33 0.00  
    (12.992)  
    M AX .  
    14.40 ( .5 66  
    12.40 ( .4 88  
    )
    )
    N O TE S  
    1. C O N T R O LLIN G D IM E N S IO N : M ILLIM E T ER .  
    2. O U TL IN E C O N FO R M S T O E IA -481 E IA -541.  
    :
    &
    WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331  
    IR GREAT BRITAIN: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020  
    IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200  
    IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590  
    IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111  
    IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086  
    IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel:++ 65 838 4630  
    IR TAIWAN:16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936  
    http://www.irf.com/  
    Data and specifications subject to change without notice.  
    2/99  
    www.irf.com  
    7
    配单直通车
    IRF7342产品参数
    型号:IRF7342
    是否无铅： 含铅
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Transferred
    IHS 制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    风险等级：5.25
    雪崩能效等级（Eas）：114 mJ
    配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：55 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4 A
    最大漏极电流 (ID)：3.4 A
    最大漏源导通电阻：0.105 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码：MS-012AA
    JESD-30 代码：R-PDSO-G8
    JESD-609代码：e0
    湿度敏感等级：1
    元件数量：2
    端子数量：8
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：245
    极性/信道类型：P-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：2 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：27 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：YES
    端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：30
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
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