欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
查询:

irf740 的Datasheet文档资料查询

品牌 型号 描述和应用 下载 货源 预览
ISC IRF740
中文翻译
isc N-Channel MOSFET Transistor
ISC N沟道MOSFET晶体管
晶体晶体管开关脉冲局域网
STMICROELECTRONICS IRF740
中文翻译
N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
STMICROELECTRONICS IRF740
中文翻译
N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
VISHAY IRF740
中文翻译
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
DCCOM IRF740
中文翻译
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
N沟道功率MOSFET技术规格
晶体晶体管开关脉冲局域网
SUNTAC IRF740
中文翻译
POWER MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管开关脉冲局域网
ISC IRF740
中文翻译
N-Channel MOSFET Transistor
N沟道场效应晶体管的晶体管
晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲局域网
FAIRCHILD IRF740
中文翻译
400V N-Channel MOSFET
400V N沟道MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
FAIRCHILD IRF740
中文翻译
N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
N沟道功率MOSFET , 10A , 350V / 400V
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
INTERSIL IRF740
中文翻译
10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET
10A , 400V , 0.550 Ohm的N通道功率MOSFET
晶体晶体管开关脉冲局域网
STMICROELECTRONICS IRF740
中文翻译
N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
FAIRCHILD IRF740
中文翻译
N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
N沟道功率MOSFET , 10A , 350V / 400V
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
STMICROELECTRONICS IRF740
中文翻译
N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
AD IRF7401
中文翻译
Thermoelectric Cooler Controller
热电冷却器控制器
控制器
AD IRF7401
中文翻译
Thermoelectric Cooler Controller
热电冷却器控制器
控制器
IRF IRF7401
中文翻译
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm)
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON) = 0.022ohm )
AD IRF7401
中文翻译
Thermoelectric Cooler Controller
热电冷却器控制器
控制器
MOTOROLA IRF74016 10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
局域网晶体管
IRF IRF7401PBF
中文翻译
HEXFET㈢ Power MOSFET
HEXFET㈢功率MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管
IRF IRF7401PBF-1 Power Field-Effect Transistor
IRF IRF7401TRPBF
中文翻译
Generation V Technology
第五代技术
IRF IRF7402
中文翻译
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体晶体管开关脉冲光电二极管
IRF IRF7402PBF
中文翻译
HEXFET㈢ Power MOSFET
HEXFET㈢功率MOSFET
IRF IRF7402TR
中文翻译
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8
晶体晶体管开关脉冲光电二极管
IRF IRF7402UTRPBF Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOP-8
开关脉冲光电二极管晶体管
IRF IRF7403
中文翻译
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
IRF IRF7403
中文翻译
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
IRF IRF7403_04
中文翻译
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
IRF IRF7403HR
中文翻译
暂无描述
晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
IRF IRF7403PBF
中文翻译
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体晶体管开关脉冲光电二极管
更多IRF740资料...

IRF740详细参数

是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
compliant
风险等级
5
Is Samacsys
N
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10 A
最大漏极电流 (ID)
10 A
最大漏源导通电阻
0.55 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
225
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
125 W
最大功率耗散 (Abs)
125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
40 A
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
IRF740资料下载IRF7401资料下载IRF74016资料下载IRF7401PBF资料下载IRF7401PBF-1资料下载IRF7401TRPBF资料下载IRF7402资料下载IRF7402PBF资料下载IRF7402TR资料下载IRF7402UTRPBF资料下载