IRF7416TRPBF产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

制造商：Infineon Technologies

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 5.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：92nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1700pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：4,000

其它名称：IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR SP001554262