IRF7807产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

制造商：Infineon Technologies

系列：HEXFET®

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 5V

Vgs（最大值）：±12V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：95