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IRF7811A产品参数
型号:IRF7811A
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.66
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):58 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:28 V
最大漏极电流 (ID):11 A
最大漏源导通电阻:0.01 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):91 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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