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IRF7821TR产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

制造商:Infineon Technologies

系列:HEXFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 13A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1010pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 155°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:4,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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