irf7832trpbf 的Datasheet文档资料查询

IRF7832TRPBF详细参数

是否Rohs认证

符合

生命周期

Transferred

零件包装代码

SOIC

包装说明

SOP-8

针数

8

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

风险等级

5.13

雪崩能效等级（Eas）

260 mJ

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

最大漏极电流 (ID)

20 A

最大漏源导通电阻

0.004 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

MS-012AA

JESD-30 代码

R-PDSO-G8

JESD-609代码

e3

湿度敏感等级

1

元件数量

1

端子数量

8

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

155 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

260

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

2.5 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

160 A

认证状态

Not Qualified

子类别

FET General Purpose Power

表面贴装

YES

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

30

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

1