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IRF IRF7832TRPBF
中文翻译
HEXFETPower MOSFET
?? HEXFET功率MOSFET

IRF7832TRPBF详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP-8
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
风险等级
5.13
雪崩能效等级(Eas)
260 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
最大漏极电流 (ID)
20 A
最大漏源导通电阻
0.004 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
MS-012AA
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
155 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
160 A
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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