IRF7834TRPBF产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

制造商：Infineon Technologies

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：44nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3710pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：4,000

其它名称：IRF7834PBFTR IRF7834TRPBF-ND IRF7834TRPBFTR-ND SP001563774

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）