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irf830 的Datasheet文档资料查询

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COMSET IRF830
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
N沟道增强型功率MOS晶体管
晶体晶体管局域网
ISC IRF830
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N-channel mosfet transistor
N沟道场效应晶体管的晶体管
晶体晶体管场效应晶体管局域网
A-POWER IRF830
中文翻译
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
N沟道增强型功率MOSFET
晶体晶体管局域网
VISHAY IRF830
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Power MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管局域网
ISC IRF830
中文翻译
N-channel mosfet transistor
N沟道场效应晶体管的晶体管
晶体晶体管场效应晶体管局域网
SUNTAC IRF830
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POWER MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管局域网
DCCOM IRF830
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
N沟道功率MOSFET技术规格
晶体晶体管局域网
SILIKRON IRF830
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High current, high speed switching
大电流,高开关速度
晶体开关晶体管局域网
icpdf_datasheet IRF830
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POWER MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管局域网
FAIRCHILD IRF830
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
N沟道功率MOSFET , 4.5 A , 450V / 500V
晶体晶体管局域网
INTERSIL IRF830
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4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
4.5A , 500V , 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET
晶体晶体管局域网
TRSYS IRF830
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
N沟道增强模式
晶体晶体管局域网
STMICROELECTRONICS IRF830
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N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET
晶体晶体管局域网
PHILIPS IRF830
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PowerMOS transistor Avalanche energy rated
功率MOS晶体管额定雪崩能量
晶体晶体管局域网
icpdf_datasheet IRF830
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POWER MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管局域网
icpdf_datasheet IRF830/D
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Power Field Effect Transistor
功率场效应晶体管
晶体晶体管功率场效应晶体管
VISHAY IRF830-005 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网开关脉冲晶体管
MOTOROLA IRF83016 4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
局域网晶体管
MOTOROLA IRF83016 4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
局域网晶体管
INFINEON IRF8302MTRPBF Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
开关脉冲晶体管
INFINEON IRF8304MTRPBF Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
开关脉冲晶体管
IRF IRF8308MPBF
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RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide
符合RoHS标准不含铅和溴化物
IRF IRF8308MTRPBF
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RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide
符合RoHS标准不含铅和溴化物
KERSEMI IRF830A
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Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement
低栅极电荷Qg结果简单驱动要求
栅极驱动
VISHAY IRF830A
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Power MOSFET
功率MOSFET
IRF IRF830A
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SMPS MOSFET
开关电源MOSFET
开关
IRF IRF830A
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HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
IRF IRF830A
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HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
VISHAY IRF830AL
中文翻译
Power MOSFET
功率MOSFET
IRF IRF830AL
中文翻译
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A)
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON)最大值= 1.40ohm ,ID = 5.0A )
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IRF830详细参数

生命周期
Obsolete
IHS 制造商
MICROSEMI CORP
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T2
Reach Compliance Code
compliant
风险等级
5.04
Is Samacsys
N
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (ID)
4.5 A
最大漏源导通电阻
1.5 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220
JESD-30 代码
R-PSFM-T2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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