PDF查询:irf830a 第1页-芯三七

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KERSEMI	irf830a 中文翻译	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement 低栅极电荷Qg结果简单驱动要求栅极驱动			7页
VISHAY	irf830a 中文翻译	Power MOSFET 功率MOSFET			8页
IRF	irf830a 中文翻译	SMPS MOSFET 开关电源MOSFET 开关			8页
IRF	irf830a 中文翻译	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET			8页
IRF	irf830a 中文翻译	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET			8页
IRF	irf830aL 中文翻译	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 1.40ohm ，ID = 5.0A ）			10页
VISHAY	irf830aL 中文翻译	Power MOSFET 功率MOSFET			8页
VISHAY	irf830aLPBF 中文翻译	Power MOSFET 功率MOSFET			8页
IRF	irf830aLPBF 中文翻译	HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET			10页
IRF	irf830aPBF 中文翻译	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET 晶体晶体管开关脉冲局域网			8页
VISHAY	irf830aPBF 中文翻译	Power MOSFET 功率MOSFET 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网			8页
KERSEMI	irf830aPBF 中文翻译	Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement 低栅极电荷Qg结果简单驱动要求晶体栅极晶体管开关脉冲驱动局域网			7页
VISHAY	irf830aS 中文翻译	Power MOSFET 功率MOSFET 晶体晶体管功率场效应晶体管			8页
IRF	irf830aS 中文翻译	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 1.40ohm ，ID = 5.0A ）			10页
VISHAY	irf830aSPBF 中文翻译	Power MOSFET 功率MOSFET			8页
IRF	irf830aSPBF 中文翻译	HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET			10页
VISHAY	irf830aSTRL 中文翻译	Power MOSFET 功率MOSFET 晶体晶体管开关脉冲			8页
其他	irf830aSTRL 中文翻译	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-263AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 500V V（ BR ） DSS \| 5A I（ D） \| TO- 263AB\n 晶体晶体管开关脉冲			10页
VISHAY	irf830aSTRLPBF 中文翻译	Power MOSFET 功率MOSFET 晶体晶体管开关脉冲			8页
IRF	irf830aSTRLPBF	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 开关脉冲晶体管			10页
其他	irf830aSTRR 中文翻译	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-263AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 500V V（ BR ） DSS \| 5A I（ D） \| TO- 263AB\n 晶体晶体管			10页
IRF	irf830aSTRRPBF	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3			10页