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irf840 的Datasheet文档资料查询

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TI IRF840
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A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED
功率因数校正
COMSET IRF840
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
N沟道增强型功率MOS晶体管
晶体晶体管
DCCOM IRF840
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
N沟道功率MOSFET技术规格
SUNTAC IRF840
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POWER MOSFET
功率MOSFET
ISC IRF840
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isc N-Channel Mosfet Transistor
ISC N沟道MOSFET晶体管
晶体晶体管
VISHAY IRF840
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Power MOSFET
功率MOSFET
A-POWER IRF840
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
N沟道增强型功率MOSFET
TRSYS IRF840
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Power MOSFET ( VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A )
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS ( ON) = 0.85欧姆, ID = 8.0 A)
STMICROELECTRONICS IRF840
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
N沟道增强型功率MOS晶体管
晶体晶体管
FAIRCHILD IRF840
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500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
FAIRCHILD IRF840
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N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
N沟道功率MOSFET , 8A , 450 V / 500V
IRF IRF840
中文翻译
TRANSISTORS N-CHANNEL
晶体管N沟道
晶体晶体管
IRF IRF840
中文翻译
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) = 0.85ohm ,ID = 8.0A )
INTERSIL IRF840
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8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET
8A , 500V , 0.850 Ohm的N通道功率MOSFET
SAMSUNG IRF840
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N-CHANNEL POWER MOSFETS
N沟道功率MOSFET
STMICROELECTRONICS IRF840
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N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET
PHILIPS IRF840
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PowerMOS transistor Avalanche energy rated
功率MOS晶体管额定雪崩能量
晶体晶体管
MOTOROLA IRF840
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管
晶体晶体管功率场效应晶体管
FAIRCHILD IRF840
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N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
N沟道功率MOSFET , 8A , 450 V / 500V
STMICROELECTRONICS IRF840_02
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N-CHANNEL 500V - 0.75ヘ - 8A TO-220 PowerMesh⑩II MOSFET
N沟道500V - 0.75ヘ - 8A TO- 220 MOSFET PowerMesh⑩II
VISHAY IRF840-004PBF Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网开关脉冲晶体管
VISHAY IRF840-013 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网开关脉冲晶体管
VISHAY IRF840-017 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网开关脉冲晶体管
VISHAY IRF840-017PBF Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
局域网开关脉冲晶体管
VISHAY IRF840-024 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网开关脉冲晶体管
VISHAY IRF840-024PBF Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
局域网开关脉冲晶体管
VISHAY IRF840-029PBF Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
局域网开关脉冲晶体管
IRF IRF8401111
中文翻译
TRANSISTORS N-CHANNEL
晶体管N沟道
晶体晶体管
MOTOROLA IRF840A Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
局域网晶体管
VISHAY IRF840A
中文翻译
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管局域网
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IRF840详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Contact Manufacturer
IHS 制造商
COMSET SEMICONDUCTORS
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.57
雪崩能效等级(Eas)
510 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (ID)
8 A
最大漏源导通电阻
0.85 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
32 A
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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