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VISHAY IRF840PBF
中文翻译
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管开关脉冲局域网
IRF IRF840PBF
中文翻译
HEXFET POWER MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体晶体管开关脉冲局域网

IRF840PBF详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数
3
Reach Compliance Code
not_compliant
风险等级
0.68
雪崩能效等级(Eas)
510 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8 A
最大漏极电流 (ID)
8 A
最大漏源导通电阻
0.85 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
32 A
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Powers
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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