芯片 IRF9388TRPBF 的概述
IRF9388TRPBF 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),属于国际整流器公司(International Rectifier,现为英飞凌科技公司)旗下的产品。它广泛应用于功率管理、DC-DC 转换器、马达驱动、电源开关和电压调节等领域。IRF9388TRPBF 具有较高的电流容量和低导通电阻的特性,使得它在高效能电路设计中非常受欢迎。
该组件设计用于高频开关应用,并且在高温环境下依然具有良好的性能。IRF9388TRPBF 的最大漏极电压(V_DS)能够承受 40V,这使得其在很多消费电子产品和工业设备中的应用成为可能。
芯片 IRF9388TRPBF 的详细参数
IRF9388TRPBF 的关键参数包括:
- 型号: IRF9388TRPBF - 类型: N 沟道 MOSFET - 最大漏极电压 (V_DS): 40V - 最大漏极电流 (I_D): 30A - 最大脉冲漏极电流: 110A - 导通电阻 (R_DS(on)): 0.016Ω(在 V_GS = 10V 时测得) - 门极阈值电压 (V_GS(th)): 2-4V - 最大功耗 (P_D): 94W(在 25℃ 时) - 工作温度范围: -55℃ 至 150℃ - 封装: TO-220 - 引脚数量: 3
这些参数展示了 IRF9388TRPBF 在电压、电流和温度等方面的优越性,从而使其在高效能电源转换中成为理想选择。
厂家、包装和封装
IRF9388TRPBF 产品的制造商是国际整流器公司,后者被英飞凌科技收购,现为英飞凌集团的一部分。该芯片通常以 TO-220 封装形式提供,适合于散热较大的应用场合。TO-220 封装使得设备能够通过底部的金属基座高效地散热,适合高功率应用。
在一般的购买渠道中,IRF9388TRPBF 还可能以 tape-and-reel 形式提供,以方便批量生产和自动装配。这种包装形式的设计能减少在运输和储存时的损坏,并提升制造效率。
引脚和电路图说明
IRF9388TRPBF 的引脚配置如下:
1. 引脚 1 (G): 门极 (Gate) - 通过施加电压控制 MOSFET 的导通和关断。 2. 引脚 2 (D): 漏极 (Drain) - 连接到负载,与源极隔离开,通常是与电源连接的部分。 3. 引脚 3 (S): 源极 (Source) - 通常连接到地。
电路图中的连接配置通常如下:
+------------------+ | | | +-----> |---------+ (负载) V_DD | | | +-------->+-| D | | | | IRF9388 | | | | | | G | | | | | +---|---------+---+ | | | | | V_GS | | --- +-+ | | | +----| | | | | | --- ------ | | GND | GND | | GND
在电路中,V_GS 是门源电压。通过门极施加一定电压后,MOSFET 会进入导通状态,允许漏极与源极之间的电流流动,从而驱动负载。
芯片 IRF9388TRPBF 的使用案例
IRF9388TRPBF 被广泛应用于各类开关电源、逆变器及电机驱动等场合。在电源管理系统中,较低的导通电阻意味着更低的能量损耗,这在大功率应用中尤为重要。
1. 开关电源: 在开关电源中,IRF9388TRPBF 可用作主要的开关元件,负责控制高频开关动作。由于其快速切换特性,可以显著提高整体系统的效率。
2. 逆变器: 无论是太阳能逆变器还是普通的电力逆变器,IRF9388TRPBF 的高电流承载能力与快速开关特性使其理想地适用于变换直流电为交流电的场合,最大化能量转换效率。
3. 电机驱动: 在电机控制应用中,IRF9388TRPBF 可用于驱动直流电机或步进电机的 H 桥配置中,高效地调节电流,从而实现精准的运动控制。
这些应用充分体现出 IRF9388TRPBF 的性能优势和应用广泛性,使其成为现代电子设计中不可或缺的一部分。借助其优越的技术特性,设计师能够更灵活、有效地进行各类电源和驱动系统的设计和调试。
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型号: | IRF9388TRPBF |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.69 |
雪崩能效等级(Eas): | 120 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0119 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MS-012AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 96 A |
子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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