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IRF9630产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB

详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):800 毫欧 @ 3.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):29nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):74W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

其它名称:*IRF9630

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