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IRFB4227PBF产品参数和技术文档

IRFB4227PBF产品图

IRFB4227PBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
3.66000
$3.66
10
3.26900
$32.69
100
2.68080
$268.08
500
2.17076
$1,085.38
1,000
1.83076
$1,830.76

IRFB4227PBF产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 200V 65A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB

制造商:Infineon Technologies

系列:HEXFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):65A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 46A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):98nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4600pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):330W(Tc)

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

其它名称:SP001565892

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