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IRFB4229PBF产品参数
型号:IRFB4229PBF
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:LEAD FREE PACKAGE-3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:3.83
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/419310.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=419310
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=419310
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=419310
Samacsys PartID:419310
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/IRFB4229PBF.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/IRFB4229PBF.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO-22AB 1
Samacsys Released Date:2020-05-12 13:01:31
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):130 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):46 A
最大漏极电流 (ID):46 A
最大漏源导通电阻:0.046 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):180 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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