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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • IRFBE20PBF-BE3
  • 数量660000 
  • 厂家Vishay(威世) 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398
  • 0755-21006672 QQ:3008961398

    IRFBE20PBF-BE3相关文章

配单直通车
IRFBE22产品参数
型号:IRFBE22
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.13
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.6 A
最大漏极电流 (ID):1.6 A
最大漏源导通电阻:7.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):6.4 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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