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IRFD120产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

详细描述:通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):270 毫欧 @ 780mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):360pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.3W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP

封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)

标准包装:2,500

其它名称:*IRFD120 IRFD121 IRFD122

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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