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  • IRFH350图
  • 深圳市领航达电子有限公司

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  • IRFH350
  • 数量1950 
  • 厂家SI 
  • 封装TO-61▇▇ 
  • 批号▇▇▇Rohs▇▇▇ 
  • 原装▇军工偏冷门▇质量好价格优▇让少走弯路▇》》》》
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配单直通车
IRFH350产品参数
型号:IRFH350
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.34
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-210AC
JESD-30 代码:O-MUPM-D2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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