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产品型号IRFP250的概述

芯片IRFP250的概述 IRFP250是一种高功率N沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、直流电机驱动和各种高功率电子设备。其在电路中的效率高、开关速度快使其成为电子工程师和设计师青睐的选择。由于其优越的性能和可靠性,IRFP250通常用于需要高电流和高电压的应用场合。 芯片IRFP250的详细参数 IRFP250的主要参数可以为其应用场景提供必要的指导。以下是IRFP250的一些重要技术参数: 1. 最大漏极-源极电压(V_DS): 由数据手册中可得,IRFP250的V_DS可承受高达250V的电压。 2. 最大漏极电流(I_D): 在室温下,IRFP250的最大漏极电流为50A。这一高电流承载能力使其能够用于大功率应用。 3. 门极驱动电压(V_GS): IRFP250的门极驱动电压范围在±20V之间。合理的驱动电压是确保MOSFET开启和关闭状态正确转换的关键所...

产品型号IRFP250的Datasheet PDF文件预览

IRFP250  
N-CHANNEL 200V - 0.073- 33A TO-247  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
IRFP250  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
200V  
< 0.085Ω  
33 A  
TYPICAL R (on) = 0.073Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
DS  
3
2
1
DESCRIPTION  
TO-247  
The PowerMESHII is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES (UPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 k)  
200  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±20  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
33  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
20  
A
D
C
I
()  
Drain Current (pulsed)  
132  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
180  
W
C
Derating Factor  
1.44  
5
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I 33A, di/dt 300A/µs, V V  
, T T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
Sep 2000  
1/8  
IRFP250  
THERMAL DATA  
Rthj-case  
Rthj-amb  
Rthc-sink  
Thermal Resistance Junction-case Max  
0.66  
30  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction-ambient Max  
Thermal Resistance Case-sink Typ  
0.1  
300  
T
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose  
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Max Value  
Unit  
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive  
I
33  
A
AR  
(pulse width limited by T max)  
j
Single Pulse Avalanche Energy  
E
AS  
600  
mJ  
(starting T = 25 °C, I = I , V = 50 V)  
j
D
AR  
DD  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TCASE = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
OFF  
Symbol  
Parameter  
Drain-source  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
I
D
= 250 µA, V = 0  
200  
V
(BR)DSS  
GS  
Breakdown Voltage  
I
Zero Gate Voltage  
V
V
V
= Max Rating  
1
µA  
µA  
nA  
DSS  
DS  
Drain Current (V = 0)  
GS  
= Max Rating, T = 125 °C  
50  
DS  
GS  
C
I
Gate-body Leakage  
= ±30V  
±100  
GSS  
Current (V = 0)  
DS  
ON (1)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
3
Max.  
4
Unit  
V
V
GS(th)  
V
V
= V , I = 250 µA  
Gate Threshold Voltage  
2
DS  
GS  
D
R
Static Drain-source On  
Resistance  
= 10V, I = 16A  
D
0.073  
0.085  
DS(on)  
GS  
I
On State Drain Current  
V
V
> I  
= 10V  
x R  
DS(on)max,  
33  
A
D(on)  
DS  
D(on)  
GS  
DYNAMIC  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
x R  
DS(on)max,  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
g
fs  
Forward Transconductance  
V
DS  
> I  
10  
25  
S
D(on)  
I
D
= 16A  
C
V = 25V, f = 1 MHz, V = 0  
DS GS  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
2850  
420  
pF  
pF  
iss  
C
oss  
Reverse Transfer  
Capacitance  
C
rss  
120  
pF  
2/8  
IRFP250  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)  
SWITCHING ON  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
t
V
R
= 100V, I =16 A  
Turn-on Delay Time  
25  
ns  
d(on)  
DD  
D
= 4.7, V = 10V  
G
GS  
t
Rise Time  
50  
ns  
r
(see test circuit, Figure 3)  
Q
V
V
= 160V, I = 33 A,  
D
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
117  
15  
158  
nC  
nC  
nC  
g
DD  
= 10V, R = 4.7Ω  
GS  
G
Q
gs  
Q
50  
gd  
SWITCHING OFF  
Symbol  
Parameter  
Off-voltage Rise Time  
Fall Time  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
60  
Max.  
Unit  
ns  
t
V
R
= 160V, I = 16 A,  
r(Voff)  
DD  
D
= 4.7Ω, V = 10V  
G
GS  
t
40  
ns  
f
(see test circuit, Figure 5)  
t
Cross-over Time  
100  
ns  
c
SOURCE DRAIN DIODE  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
33  
Unit  
A
I
Source-drain Current  
SD  
I
(2)  
(1)  
Source-drain Current (pulsed)  
Forward On Voltage  
132  
1.6  
A
SDM  
V
I
I
= 33 A, V = 0  
V
SD  
SD  
GS  
t
= 33 A, di/dt = 100A/µs,  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
370  
5.4  
29  
ns  
µC  
A
rr  
SD  
V
= 100V, T = 150°C  
j
DD  
Q
rr  
(see test circuit, Figure 5)  
I
RRM  
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.  
2. Pulse width limited by safe operating area.  
Safe Operating Area  
Thermal Impedance  
3/8  
IRFP250  
Output Characteristics  
Tranfer Characteristics  
Tranconductance  
Static Drain-Source On Resistance  
Gate Charge vs Gate-source Voltage  
Capacitance Variations  
4/8  
IRFP250  
Normalized Gate Thereshold Voltage vs Temp.  
Normalized On Resistance vs Temperature  
Source-drain Diode Forward Characteristics  
5/8  
IRFP250  
Fig. 1: Unclamped Inductive Load Test Circuit  
Fig. 2: Unclamped Inductive Waveform  
Fig. 3: Switching Times Test Circuit For  
Fig. 4: Gate Charge test Circuit  
Resistive Load  
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching  
And Diode Recovery Times  
6/8  
IRFP250  
TO-247 MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
TYP.  
DIM.  
MIN.  
4.7  
2.2  
0.4  
1
TYP.  
MAX.  
5.3  
MIN.  
0.185  
0.087  
0.016  
0.039  
0.079  
0.118  
MAX.  
A
D
0.209  
0.102  
0.031  
0.055  
0.094  
0.134  
2.6  
E
0.8  
F
1.4  
F3  
F4  
G
2
2.4  
3
3.4  
10.9  
0.429  
H
15.3  
19.7  
14.2  
15.9  
20.3  
14.8  
0.602  
0.776  
0.559  
0.626  
0.779  
0.582  
L
L3  
L4  
L5  
M
34.6  
5.5  
1.362  
0.217  
2
3
0.079  
0.118  
P025P  
7/8  
IRFP250  
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8/8  
配单直通车
IRFP250产品参数
型号:IRFP250
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.09
Is Samacsys:N
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.085 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):190 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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