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IRFP250产品参数

品牌:IXYS

描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD

详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 190W(Tc) TO-247AD

制造商:IXYS

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):85 毫欧 @ 18A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):140nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2970pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):190W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247AD

封装/外壳:TO-247-3

标准包装:30

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