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    八零友创集团0755-88917717/88917797/88279729███【坚持原装正品】████ 和我即时交谈 和我即时交谈

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    厂家Infineon
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    IRFP4227PBF

    厂家Infineon(英飞凌)
    批号2020+
    数量13550
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  • 原装代理分销PDF 更新日期:03-05
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  • INFINEON/英飞凌 
  • 2020+ 
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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 原装正品现货,质量保证可出样品可开税票,销售热线 18680328178 更新日期:03-05
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  • 渠道现货库存-原厂原装 更新日期:03-05
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  • ◆★█【专注原装正品现货】★价格最低★!量大可定!欢迎惠顾!(长期高价回收全新原装正品电子元器件) 更新日期:03-05
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IRFP4227PBF产品参数和技术文档

IRFP4227PBF产品图

IRFP4227PBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
4.86000
$4.86
10
4.33900
$43.39
100
3.55820
$355.82
500
2.88126
$1,440.63
1,000
2.42997
$2,429.97

IRFP4227PBF产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC

详细描述:通孔 N 沟道 200V 65A(Tc) 330W(Tc) TO-247AC

制造商:Infineon Technologies

系列:HEXFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):65A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 46A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):98nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4600pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):330W(Tc)

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247AC

封装/外壳:TO-247-3

标准包装:25

其它名称:SP001560510

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