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IRF IRFP460PBF
中文翻译
Dynamic dv/dt Rating, Repetitive Avalanche Rated, Isolated Central Mounting Hole, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements, Lead
动态的dv / dt的额定值,额定重复性雪崩,隔离中心安装孔,快速切换,易于并联的,简单的驱动要求,铅
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动局域网
VISHAY IRFP460PBF
中文翻译
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
IRF IRFP460PBF
中文翻译
Dynamic dv/dt Rating, Repetitive Avalanche Rated, Isolated Central Mounting Hole, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements, Lead
动态的dv / dt的额定值,额定重复性雪崩,隔离中心安装孔,快速切换,易于并联的,简单的驱动要求,铅
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动局域网

IRFP460PBF详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码
TO-247AC
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
风险等级
5.08
Is Samacsys
N
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)
960 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
最大漏极电流 (ID)
20 A
最大漏源导通电阻
0.27 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-247AC
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
250
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
80 A
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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