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产品型号IRFS4010PBF的概述

芯片IRFS4010PBF的概述 IRFS4010PBF是一款高效能的N通道场效应管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动等领域。该器件由国际整流器公司(International Rectifier)设计与制造,旨在满足高电流和高电压应用的要求。IRFS4010PBF通常用于需...
配单直通车
IRFS4010PBF产品参数
型号:IRFS4010PBF
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:3.49
雪崩能效等级(Eas):318 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):180 A
最大漏极电流 (ID):180 A
最大漏源导通电阻:0.0047 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):375 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):720 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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