IRFS4010PBF产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 375W（Tc） D2PAK

制造商：Infineon Technologies

系列：HEXFET®

包装：管件

零件状态：Digi-Key 停产

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.7 毫欧 @ 106A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：215nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9575pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：50

其它名称：SP001578304