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  • IRG4BC30KD-STRR(02-0218)图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • IRG4BC30KD-STRR(02-0218)
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • IRG4BC30KD-STRR(02-0218)
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • IRG4BC30KD-STRR(02-0218)
  • 数量6550 
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  • 封装D2PAK-2 
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配单直通车
IRG4BC30KD-STRRPBF产品参数
型号:IRG4BC30KD-STRRPBF
是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):28 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):120 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):100 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):370 ns
标称接通时间 (ton):100 ns
Base Number Matches:1
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