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  • IRG4BC30W-SPBF图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • IRG4BC30W-SPBF
  • 数量1675 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装TO-263 
  • 批号21+ 
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  • IRG4BC30W-SPBF图
  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • IRG4BC30W-SPBF
  • 数量5000 
  • 厂家International Rectifier 
  • 封装贴/插片 
  • 批号16+ 
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  • IRG4BC30W-SPBF图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • IRG4BC30W-SPBF
  • 数量9328 
  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装TO-263-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • IRG4BC30W-SPBF图
  • 万三科技(深圳)有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • IRG4BC30W-SPBF
  • 数量660000 
  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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IRG4BC30W-SPBF产品参数
型号:IRG4BC30W-SPBF
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):23 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE
最大降落时间(tf):100 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):100 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):300 ns
标称接通时间 (ton):41 ns
Base Number Matches:1
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